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INFINEON(英飞凌)

SPP20N60C3

品牌 INFINEON 封装 TO-220 批次 19+ 数量 15000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 Through Hole 封装 / 箱体 TO-220-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 60...

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产品详情

品牌
INFINEON
封装
TO-220
批次
19+
数量
15000
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.7 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SP000013527 SPP20N60C3HKSA1 SPP2N6C3XK
单位重量
6 g
可售卖地
全国
型号
SPP20N60C3

标签: SPP20N60C3

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