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INFINEON（英飞凌）

SPP20N60C3

品牌 INFINEON 封装 TO-220 批次 19+ 数量 15000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是技术 Si 安装风格 Through Hole 封装 / 箱体 TO-220-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 60...

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产品详情

品牌

INFINEON

封装

TO-220

批次

19+

数量

15000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

是

技术

Si

安装风格

Through Hole

封装 / 箱体

TO-220-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Id-连续漏极电流

20.7 A

Rds On-漏源导通电阻

190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

20 V

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

208 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

商标名

CoolMOS

高度

15.65 mm

长度

10 mm

系列

CoolMOS C3

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

4.4 mm

商标

Infineon Technologies

下降时间

4.5 ns

产品类型

MOSFET

上升时间

5 ns

工厂包装数量

500

子类别

MOSFETs

典型关闭延迟时间

67 ns

典型接通延迟时间

10 ns

零件号别名

SP000013527 SPP20N60C3HKSA1 SPP2N6C3XK

单位重量

6 g

可售卖地

全国

型号

SPP20N60C3

标签： SPP20N60C3

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