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INFINEON（英飞凌）

IPD30N03S4L-14

品牌英飞凌封装 TO-252 批次 21+ 数量 5000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 TO-252-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极...

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产品详情

品牌

英飞凌

封装

TO-252

批次

21+

数量

5000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

是

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TO-252-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Id-连续漏极电流

30 A

Rds On-漏源导通电阻

13.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

16 V

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 175 C

Pd-功率耗散

31 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

资格

AEC-Q101

高度

2.3 mm

长度

6.5 mm

系列

OptiMOS-T2

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

6.22 mm

下降时间

2 ns

上升时间

2 ns

典型关闭延迟时间

12 ns

典型接通延迟时间

3 ns

零件号别名

IPD30N03S4L14ATMA1 SP000275919 IPD3N3S4L14XT IPD30

单位重量

4 g

可售卖地

全国

型号

IPD30N03S4L-14

标签： IPD30N03S4L-

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