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INFINEON(英飞凌)

IPD30N03S4L-14

品牌 英飞凌 封装 TO-252 批次 21+ 数量 5000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 TO-252-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极...

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产品详情

品牌
英飞凌
封装
TO-252
批次
21+
数量
5000
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
13.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
下降时间
2 ns
上升时间
2 ns
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
IPD30N03S4L14ATMA1 SP000275919 IPD3N3S4L14XT IPD30
单位重量
4 g
可售卖地
全国
型号
IPD30N03S4L-14

标签: IPD30N03S4L-

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