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IPD90P04P4L-04英飞凌汽车芯片中文参数

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPD90P04P4L-04封装:原厂原封批号:22+数量:3500制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:90 ARds On-漏源导通电阻:6.6 mOhmsVgs -...

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技术参数

品牌:INFINEON/英飞凌
型号:IPD90P04P4L-04
封装:原厂原封
批号:22+
数量:3500
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:6.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Qg-栅极电荷:135 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
系列:OptiMOS-P2
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:6.22 mm
下降时间:60 ns
上升时间:20 ns
典型关闭延迟时间:140 ns
典型接通延迟时间:20 ns
零件号别名:IPD90P04P4L04ATMA1 SP000840194 IPD9P4P4L4XT IPD90P04P4L04ATMA1
单位重量:4 g

优势

  • 高边驱动无需电荷泵。
  • 简单的接口驱动电路
  • 40V 时, RDSon 为世界极低值
  • 极高的冲击电流能力
  • 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
  • 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
  • 标准封装 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262


特征描述

  • P 通道 - 逻辑电平 - 增强模式
  • AEC 认证
  • MSL1 峰值回流温度高达 260°C
  • 175°C 的工作温度
  • 环保封装(符合 RoHS)
  • 100% 经过雪崩测试

潜在应用    用于电机桥的高边 MOSFET(半桥、H 桥、三相电机)    采用40V P 通道作为高边器件,无需电荷泵即可实现桥配置