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CY14B116L-ZS25XI集成电路(IC) 存储器中文参数

技术参数品牌:CYPRESS型号:CY14B116L-ZS25XI封装:21+批次:TSSOP-44数量:8690类别:集成电路(IC) 存储器制造商:Cypress Semiconductor CorpProduct Status:在售存储器类型:非易失存储器格式:NVSRAM存储容量:16Mb(2M x 8)存储器接口:并联写周期时间 - 字,页:25ns访问时间:25 ns电压 - 供电:2...

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技术参数

品牌:CYPRESS
型号:CY14B116L-ZS25XI
封装:21+
批次:TSSOP-44
数量:8690
类别:集成电路(IC) 存储器
制造商:Cypress Semiconductor Corp
Product Status:在售
存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
存储容量:16Mb(2M x 8)
存储器接口:并联
写周期时间 - 字,页:25ns
访问时间:25 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

Cypress CY14X116L/CY14X116N/CY14X116S是一款快速SRAM,在每个存储单元中具有非易失性元件。这个内存组织为2048K字节,每个字节8位或1024K每个16位的字或每个32位的512K个字。这个嵌入式非易失性元件包含QuantumTrap技术,生产世界上最可靠的非易失性记忆力SRAM可以读写无限个数次。驻留在非易失性中的非易失数据当数据被写入SRAM时,元件不改变。数据从SRAM传输到非易失性元件(STORE操作)在断电时自动发生。在…上通电,数据恢复到SRAM(RECALL操作)从非易失性存储器中。STORE和RECALL操作也可在软件控制下进行。