IPB107N20N3G分立半导体产品 晶体管MOSFET参数资料
技术参数品牌：Infineon(英飞凌)型号：IPB107N20N3GATMA1封装：NA批号：23+数量：5000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：PG-TO-263-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1 ChannelVds-漏源极击穿电压：200 VId-连续漏极电流：88 ARds On-漏源导通电阻：10....
技术参数
| 品牌： | Infineon(英飞凌) |
| 型号： | IPB107N20N3GATMA1 |
| 封装： | NA |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PG-TO-263-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 88 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 10.7 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 65 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | OptiMOS |
| 配置： | Single |
| 高度： | 4.4 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 系列： | OptiMOS 3 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.25 mm |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 正向跨导 - 最小值： | 71 S |
| 下降时间： | 11 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 26 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 41 ns |
| 典型接通延迟时间： | 18 ns |
| 零件号别名： | IPB107N20N3 G SP000676406 |
| 单位重量： | 2 g |
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