技术参数
品牌: | TI/德州仪器 |
型号: | LM5060QDGSRQ1 |
封装: | MSOP-10 |
批号: | 22+ |
数量: | 8000 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | 热交换电压控制器 |
RoHS: | 是 |
电流限制: | Adjustable |
电源电压-最大: | 65 V |
电源电压-最小: | 5.5 V |
通道数量: | 1 Channel |
工作电源电流: | 1.4 mA |
最小工作温度: | - 40 C |
最大工作温度: | + 125 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | MSOP-10 |
资格: | AEC-Q100 |
功率失效检测: | No |
工作温度范围: | - 40 C to + 125 C |
系列: | LM5060-Q1 |
输入/电源电压—最大值: | 65 V |
输入/电源电压—最小值: | 5.5 V |
单位重量: | 25.800 mg |
LM5060高侧保护控制器提供高边N沟道MOSFET的智能控制在正常的开/关转换和故障条件下。浪涌电流由几乎恒定的输出电压的上升时间。强力商品输出指示输出电压何时达到输入电压,MOSFET完全导通。输入提供了UVLO(具有滞后),以及可编程输入OVP。启用输入提供远程开启或关闭控制。可编程UVLO为了安全起见,输入可以用作第二使能输入冗余单个电容器编程初始启动VGS故障检测延迟时间,转换VDS故障检测延迟时间,且连续过电流VDS故障检测延迟时间。当检测到的故障持续时间超过允许的故障延迟时间,MOSFET被锁存直到使能输入或UVLO输入为先低后高。