IPD90P03P4L-04是一种高性能的N沟道MOSFET,由Infineon Technologies公司生产。它采用了先进的MOSFET技术和封装,具有低导通电阻、高开关速度和优异的电气性能,可广泛应用于各种功率电子设备和系统中。
以下是IPD90P03P4L-04的主要规格参数:
额定电压:30V
额定电流:90A
导通电阻:4.4mΩ(最大值)
封装:TO252-3(DPAK)封装
IPD90P03P4L-04采用了Infineon Technologies公司的ThinQ!™ MOSFET技术,使其具有更高的开关速度和更低的导通电阻。该器件适用于高性能的功率电子设备和系统,如直流电源、电机控制、电池管理、LED照明等领域。
需要注意的是,在使用IPD90P03P4L-04时需要注意其最大额定电流和最大导通电阻等参数,以确保器件能够正常工作,并且不超过其最大功率和温度范围,从而保证设备的安全和稳定性。