IPD50N03S4英飞凌MOSFET晶体管中文资料

IPD50N03S4是一款N沟道MOSFET晶体管，由Infineon Technologies AG公司生产。它采用了先进的MOSFET技术和封装，具有低导通电阻、高开关速度和优异的电气性能，可广泛应用于各种功率电子设备和系统中。

以下是IPD50N03S4的主要规格参数：

额定电压：30V
额定电流：50A
导通电阻：4.5mΩ（最大值）
封装：TO-252（DPAK）封装
IPD50N03S4采用了Infineon Technologies AG公司的CoolMOS™技术，使其具有更高的开关速度和更低的导通电阻。该器件适用于高性能的功率电子设备和系统，如直流电源、电机控制、电池管理、LED照明等领域。

需要注意的是，在使用IPD50N03S4时需要注意其最大额定电流和最大导通电阻等参数，以确保器件能够正常工作，并且不超过其最大功率和温度范围，从而保证设备的安全和稳定性。