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MMBT3904TT1G安森美NPN通用晶体管规格参数

MMBT3904TT1G是ON Semiconductor生产的一款NPN通用晶体管,适用于低功耗放大器和开关应用。它是一个小型表面贴装三极管,封装为SOT-23封装。MMBT3904TT1G晶体管的最大功率耗散为350mW,最大集电极电压为40V,最大集电极电流为200mA,最大发射极电压为60V。它具有高电流增益和低噪声系数的特点。该晶体管可以用于各种应用,包括低噪声放大器、射频放大器、电压比...

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MMBT3904TT1G是ON Semiconductor生产的一款NPN通用晶体管,适用于低功耗放大器和开关应用。它是一个小型表面贴装三极管,封装为SOT-23封装。

MMBT3904TT1G晶体管的最大功率耗散为350mW,最大集电极电压为40V,最大集电极电流为200mA,最大发射极电压为60V。它具有高电流增益和低噪声系数的特点。

该晶体管可以用于各种应用,包括低噪声放大器、射频放大器、电压比较器、电压控制振荡器、开关电源、直流-直流转换器、驱动器等。由于其小型封装和低功耗特性,它非常适合于便携式电子设备、消费电子产品和移动设备应用。

MMBT3904TT1G晶体管广泛应用于电子设备制造业、通信设备制造业、计算机制造业、工业自动化制造业等行业,是许多电路设计师和工程师喜爱的器件之一。