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BUK9Y58-75B高效率功率开关芯片中文资料

BUK9Y58-75B是一款N沟道逻辑级MOSFET,具有低电阻、高电流、高压电容等优势,可用于高效率的功率开关应用。以下是有关BUK9Y58-75B的详细描述、规格参数和应用。描述BUK9Y58-75B是一款60V 75A N沟道逻辑级MOSFET,采用先进的TrenchFET® Gen IV技术和NextPowerS3极点优化设计,具有优异的导通电阻和开关速度,并且能够承受高达175℃的温度。...

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BUK9Y58-75B是一款N沟道逻辑级MOSFET,具有低电阻、高电流、高压电容等优势,可用于高效率的功率开关应用。以下是有关BUK9Y58-75B的详细描述、规格参数和应用。

描述
BUK9Y58-75B是一款60V 75A N沟道逻辑级MOSFET,采用先进的TrenchFET® Gen IV技术和NextPowerS3极点优化设计,具有优异的导通电阻和开关速度,并且能够承受高达175℃的温度。

规格参数
额定电压:60V
额定电流:75A
典型导通电阻:4.6 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 75 A
典型关断电阻:1.4 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 75 A
最大极限温度:175℃
封装:TO-220AB
应用
BUK9Y58-75B适用于各种高效率的功率开关应用,如:

DC/DC转换器
电机控制
LED照明
电源管理
工业自动化
在这些应用中,BUK9Y58-75B的低导通电阻和高电流能力使其能够实现高效率和高性能,同时它的高压电容和高极限温度也能保证其可靠性和稳定性。