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NRVTSA4100T3G安森美N沟道MOS场效应晶体管(FET)资料

NRVTSA4100T3G是一种N沟道MOS场效应晶体管(FET),它是一种高电压、高速开关设备,适用于工业、汽车、航空航天和消费电子等多种领域。该晶体管具有低导通电阻和快速开关特性,使其能够承受高电压和高电流,同时还具有良好的温度稳定性和可靠性。它被广泛应用于各种高性能开关电路中,如电源管理、电机驱动器和逆变器等。NRVTSA4100T3G采用TO-220AB封装,使其易于安装和散热,具有很好的...

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NRVTSA4100T3G是一种N沟道MOS场效应晶体管(FET),它是一种高电压、高速开关设备,适用于工业、汽车、航空航天和消费电子等多种领域。

该晶体管具有低导通电阻和快速开关特性,使其能够承受高电压和高电流,同时还具有良好的温度稳定性和可靠性。它被广泛应用于各种高性能开关电路中,如电源管理、电机驱动器和逆变器等。

NRVTSA4100T3G采用TO-220AB封装,使其易于安装和散热,具有很好的机械强度和电气性能。其最大耗散功率为170W,最大漏极电压为100V,最大漏极电流为24A,适用于各种高压、高功率应用。

总之,NRVTSA4100T3G是一种高性能、高可靠性的N沟道MOS场效应晶体管,适用于各种高压、高功率开关电路。