NRVB140SFT1G金属氧化物半导体场效应晶体管参数资料

NRVB140SFT1G是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由ON Semiconductor公司生产。该芯片采用TrenchMOS技术，具有低电阻、高速度和高可靠性，适用于电源管理、电机控制、LED照明和电池充放电等领域。

NRVB140SFT1G的漏极电压为140V，最大漏极电流为30A，栅极-源极电压范围为±20V，导通电阻为5.2mΩ。该芯片具有快速的开关速度和短延迟时间，可以实现高效率和低功耗的电路设计。此外，它还具有低电阻、高可靠性和低漏电流能力，可提高系统性能和可靠性。

NRVB140SFT1G采用DPAK封装，尺寸为6.6mm x 6.2mm x 2.3mm，可实现紧凑的设计和高密度电路板布局。此外，该芯片还具有高温耐受性和高电压耐受性等优点，适用于恶劣环境和高压应用。

总之，NRVB140SFT1G是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于电源管理、电机控制、LED照明和电池充放电等领域。它具有低电阻、高速度、高可靠性和低功耗等特点，并采用紧凑的封装和高温耐受性设计，可提高系统性能和可靠性。