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SURA8260T3G-VF01高性能P型功率MOSFET详细资料

SURA8260T3G-VF01是一款高性能P型功率MOSFET,由ON Semiconductor公司生产。该器件采用封装为DPAK的表面贴装器件,其最大漏电流为1微安,额定电源电压为60V,最大漏极电流为7.8安。SURA8260T3G-VF01广泛应用于各种直流-直流转换器、电源管理和电路保护应用。由于其优异的电性能和低漏电流,它可用于高精度稳压器、负载开关和反向保护等应用。此外,该器件还具...

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SURA8260T3G-VF01是一款高性能P型功率MOSFET,由ON Semiconductor公司生产。该器件采用封装为DPAK的表面贴装器件,其最大漏电流为1微安,额定电源电压为60V,最大漏极电流为7.8安。

SURA8260T3G-VF01广泛应用于各种直流-直流转换器、电源管理和电路保护应用。由于其优异的电性能和低漏电流,它可用于高精度稳压器、负载开关和反向保护等应用。此外,该器件还具有快速开关速度和低导通电阻等优点,可提高系统的效率和可靠性。

SURA8260T3G-VF01采用DPAK封装,尺寸小,易于布局和集成。该器件具有高性能、低漏电流和低导通电阻等特性,可提高系统的效率和可靠性。因此,SURA8260T3G-VF01适用于多种直流-直流转换器、电源管理和电路保护应用。

总之,SURA8260T3G-VF01是一款高性能P型功率MOSFET,具有优异的电性能和低漏电流。该器件广泛应用于直流-直流转换器、电源管理和电路保护应用,尺寸小,易于布局和集成,可以提高系统的效率和可靠性。