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IPW90R120C3高压功率MOSFET器件中文资料

IPW90R120C3是一款高压功率MOSFET,由德国Infineon公司设计制造。该芯片拥有低导通电阻、低开启电阻、高开关速度等特点,适用于高功率、高频率的应用领域。IPW90R120C3采用了Infineon公司领先的ThinQ!™ Silicon Technology,能够实现高功率密度和高可靠性,同时还具备低导通电阻和低开启电阻的特点,能够提高系统的效率和降低功率损耗。该芯片还采用了多个...

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IPW90R120C3是一款高压功率MOSFET,由德国Infineon公司设计制造。该芯片拥有低导通电阻、低开启电阻、高开关速度等特点,适用于高功率、高频率的应用领域。

IPW90R120C3采用了Infineon公司领先的ThinQ!™ Silicon Technology,能够实现高功率密度和高可靠性,同时还具备低导通电阻和低开启电阻的特点,能够提高系统的效率和降低功率损耗。该芯片还采用了多个封装类型,方便系统设计和布局,满足不同应用场景的需求。

在应用方面,IPW90R120C3被广泛应用于各种高功率、高频率的应用领域,如电力电子、电动工具、电动汽车等。该芯片能够提供高效、稳定、可靠的功率输出,为系统的设计和优化提供了重要支持。

总之,IPW90R120C3是一款高压功率MOSFET,具有低导通电阻、低开启电阻、高开关速度等特点,适用于高功率、高频率的应用领域。该芯片被广泛应用于电力电子、电动工具、电动汽车等领域,为系统的设计和优化提供了重要支持。