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IPB65R110CFDA金属氧化物半导体场效应管规格资料

IPB65R110CFDA是英飞凌公司(Infineon Technologies AG)生产的一种MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)。它是N沟道型MOSFET,具有低导通电阻和高电流承受能力等特点,广泛应用于各种高压、高功率的开关电路中。IPB65R110CFDA采用了公司的CoolMOS™ C7技术,能够承受650伏的额定电压和110安培的最大漏极电流,具有很低的导通电阻和漏极电流,能够...

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IPB65R110CFDA是英飞凌公司(Infineon Technologies AG)生产的一种MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)。它是N沟道型MOSFET,具有低导通电阻和高电流承受能力等特点,广泛应用于各种高压、高功率的开关电路中。

IPB65R110CFDA采用了公司的CoolMOS™ C7技术,能够承受650伏的额定电压和110安培的最大漏极电流,具有很低的导通电阻和漏极电流,能够在高功率应用中实现更高的效率和可靠性。

此外,IPB65R110CFDA还具有一系列保护功能,如过温保护、过载保护和静电放电保护等,可以提高电路的安全性和稳定性。

总之,IPB65R110CFDA是一种高性能的N沟道型MOSFET,采用CoolMOS™ C7技术,具有低导通电阻、高电流承受能力和多种保护功能等特点。它广泛应用于各种高压、高功率的开关电路中,能够提高电路的效率和可靠性。