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IPD90P04P4L04ATMA1分立半导体产品晶体管-技术参数

技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IPD90P04P4L04ATMA1封装:进口封装批号:22+数量:8000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:90 ARds On-漏源导通电阻:6.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:4.5 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-栅极电荷:135 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:125 W配置:Single通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101高度:2.3 mm长度:6.5 mm系列:XPD90P04晶体管类型:1 P-Channel宽度:6.22 mm下降时间:60 ns上升时间:20 ns典型关闭延迟时间:140 ns典型接通延迟时间:20 ns零件号别名:IPD90P04P4L-04 SP000840194 IPD9P4P4L4XT单位重量:490 mg...

IPD90P04P4L04ATMA1.png

技术参数

品牌:Infineon/英飞凌
型号:IPD90P04P4L04ATMA1
封装:进口封装
批号:22+
数量:8000
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:6.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Qg-栅极电荷:135 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
系列:XPD90P04
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:6.22 mm
下降时间:60 ns
上升时间:20 ns
典型关闭延迟时间:140 ns
典型接通延迟时间:20 ns
零件号别名:IPD90P04P4L-04 SP000840194 IPD9P4P4L4XT
单位重量:490 mg

特点

•P通道-逻辑电平-增强模式

•AEC合格

•MSL1最高260°C峰值回流

•175°C工作温度

•绿色包装(符合RoHS)

•100%雪崩测试