尖货爆款
技术参数
| 品牌： | ON(安森美) |
| 型号： | NTP190N65S3HF |
| 封装： | TO-220-3 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 200000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 190 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 34 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 162 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | SuperFET3 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 11 S |
| 下降时间： | 14 ns |
| 上升时间： | 19 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 58 ns |
| 典型接通延迟时间： | 19 ns |
| 单位重量： | 2.030 g |
描述：
SUPERFET III MOSFET是ON Semiconductor全新的高压超结（SJ）MOSFET家族，利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和更低的栅极充电性能。这项先进的技术旨在将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适用于各种功率系统，以实现小型化和更高的效率。通过优化体二极管的反向功率性能，SUPER FET III FRFET MOSFET可以去除额外的部件，提高系统的可靠性。
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