尖货爆款
技术参数
| 品牌： | ON Semiconductor |
| 型号： | FDMS86200DC |
| 封装： | SOP |
| 数量： | 15860 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | DualCool-56-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 150 V |
| Id-连续漏极电流： | 28 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 14 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3.3 V |
| Qg-栅极电荷： | 30 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 125 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.05 mm |
| 长度： | 6 mm |
| 系列： | FDMS86200DC |
| 晶体管类型： | N-Channel |
| 宽度： | 5 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 32 S |
| 下降时间： | 5 ns |
| 上升时间： | 4 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 23 ns |
| 典型接通延迟时间： | 16 ns |
| 单位重量： | 90 mg |
概述：
这种N沟道MOSFET是使用onsemi的先进技术生产的POWERTRENCH®工艺，包含屏蔽门技术硅和DUAL COOL®的进步封装技术已经结合起来，提供了最低的rDS同时通过极低的接头−至−环境热阻。
特点：
•屏蔽栅MOSFET技术
•DUAL COOL®顶侧冷却DFN8组件
•VGS=10 V，ID=9.3 A时，最大rDS（开启）=17 m
•VGS=6 V，ID=7.8 A时，最大rDS（开启）=25 m
•用于极低rDS的高性能技术（打开）
•100%UIL测试
•符合RoHS
应用程序：
•DC-DC转换器中的主MOSFET
•二次同步整流器
•负载开关
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