MC33151DR2G双反转高速驱动器-型号参数
技术参数品牌：ON/安森美型号：MC33151DR2G封装：SOIC-8_150mil批号：21+数量：9800制造商：ON Semiconductor产品种类：门驱动器RoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SOIC-8激励器数量：2 Driver输出端数量：2 Output上升时间：31 ns下降时间：32 ns电源电压-最小：6.5 V工作电源电流：10.5 mAPd-功率耗散：560 mW最小工作温度：- 40 C最大工作温度：+ 85 C系列：MC33151逻辑类型：CMOS, LSTTL单位重量：540 mg...
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | MC33151DR2G |
| 封装： | SOIC-8_150mil |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 9800 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 门驱动器 |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 激励器数量： | 2 Driver |
| 输出端数量： | 2 Output |
| 上升时间： | 31 ns |
| 下降时间： | 32 ns |
| 电源电压-最小： | 6.5 V |
| 工作电源电流： | 10.5 mA |
| Pd-功率耗散： | 560 mW |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 85 C |
| 系列： | MC33151 |
| 逻辑类型： | CMOS, LSTTL |
| 单位重量： | 540 mg |
MC34151/MC33151是专为需要低电流数字电路以高转换速率驱动大电容负载的应用而设计的双反转高速驱动器。这些器件具有低输入电流，使其与CMOS和LSTL逻辑兼容，输入滞后用于独立于输入转换时间的快速输出切换，以及两个非常适合驱动功率MOSFET的高电流图腾柱输出。还包括带滞后的欠压锁定，以防止系统在低电源电压下不稳定运行。典型应用包括开关电源、直流-直流转换器、电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。这些设备有双列直插式和表面安装两种封装。
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