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IPC50N04S5L5R5ATMA1英飞凌功率器件中文资料

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPC50N04S5L5R5ATMA1封装:TDSON-8批号:21+数量:9536描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)原厂标准交货期:20 周详细描述:表面贴装型-N-通道-4...

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技术参数

品牌:INFINEON/英飞凌
型号:IPC50N04S5L5R5ATMA1
封装:TDSON-8
批号:21+
数量:9536
描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
原厂标准交货期:20 周
详细描述:表面贴装型-N-通道-40V-50A(Tc)-42W(Tc)-PG-TDSON-8-33
数据列表:IPC50N04S5L-5R5;
标准包装:5,000
包装:标准卷带
零件状态:有源
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列:汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™
其它名称:IPC50N04S5L5R5ATMA1TR
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):23nC @ 10V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1209pF @ 25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):42W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TDSON-8-33
封装/外壳:8-PowerTDFN