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IPB044N15N5英飞凌N沟道功率MOSFET中文资料
IPB044N15N5是一款N沟道功率MOSFET，由Infineon Technologies AG生产。该器件采用了优化的MOSFET工艺和设计，具有低导通电阻、高效率、低漏电流和快速开关速度等特点，适用于各种高性能功率电子应用。IPB044N15N5的主要特点如下：低导通电阻：该器件采用优化的MOSFET工艺，具......
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日期：2023-04-17 阅读量：
IRFR7540TRPBF高性能功率电子芯片中文资料
IRFR7540TRPBF是一款N沟道功率MOSFET，由国际整流器公司（International Rectifier）生产。该器件具有低导通电阻、高速开关和良好的热特性等优点，适用于各种高性能功率电子应用。IRFR7540TRPBF的主要特点如下：低导通电阻：该器件采用了国际整流器公司的优化MOSFET工艺，具有非......
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日期：2023-04-17 阅读量：
IRLR120NTRPBF高性能开关电机驱动芯片资料
IRLR120NTRPBF是一款N沟道MOSFET，由国际整流器公司（International Rectifier）生产。该器件具有优秀的导通特性和低漏电流，适用于各种高性能开关应用，例如电源管理、电机驱动、电池管理和照明等。IRLR120NTRPBF的主要特点如下：低导通电阻：该器件采用了国际整流器公司的优化MOS......
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日期：2023-04-17 阅读量：
IPP60R165CPXKSA1英飞凌600V CoolMOS™ N沟道MOSFET
IPP60R165CPXKSA1是英飞凌（Infineon）推出的一款600V CoolMOS™ N沟道MOSFET。该器件采用了最新的MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率、低漏电流和低静态功耗等特点，适用于各种高性能应用场景，如电源管理、照明和汽车电子等。IPP60R165CPXKSA1的主要特点如下：低导通电阻......
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日期：2023-04-17 阅读量：
1ED020I12-F2高精度隔离放大器中文资料
1ED020I12-F2是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高精度隔离放大器，适用于工业自动化、电力电子、医疗设备和通讯设备等领域的隔离测量和信号传输。该器件采用了磁耦合隔离技术，能够实现高精度、高稳定性和低功耗的信号传输。它还具有广泛的工作电压范围（3.3V-24V）和高达5000V的隔离电压，能够适应不同应用......
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日期：2023-04-17 阅读量：
IPA60R099P7英飞凌N沟道功率MOSFET中文资料
IPA60R099P7是英飞凌（Infineon）公司推出的一款N沟道功率MOSFET，用于高电压、高性能应用中。该器件采用了优化的MOSFET工艺，具有高效、低损耗和可靠的特点，适用于电源电子和工业应用等领域。IPA60R099P7的额定电压为600V，额定电流为23A，具有低导通电阻和快速开关的特点，能够实现高效的......
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日期：2023-04-17 阅读量：
ICE3PCS01G高性能功率因数校正（PFC）控制器
ICE3PCS01G是英飞凌（Infineon）公司推出的一款用于交流/直流转换器的高性能功率因数校正（PFC）控制器。该器件具有高效、稳定和可靠的特点，适用于电源电子和工业应用等领域。ICE3PCS01G采用了先进的PFC技术，能够显著提高交流/直流转换器的功率因数和效率。该控制器具有高精度的当前检测和反馈控制，能够......
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日期：2023-04-17 阅读量：
IPB020N10N5LF英飞凌N沟道金属氧化物半导体场效应管
IPB020N10N5LF是英飞凌公司（Infineon）推出的一款N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）产品，主要用于工业应用中的高频开关和功率放大器等领域。该器件采用先进的封装和制造工艺，具有低导通电阻、高频响应和高可靠性等优点，可为高效、稳定和安全的电路设计提供重要支持。IPB020N10N5LF具有低导......
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日期：2023-04-17 阅读量：
TLE9104SHXUMA1英飞凌4通道电机驱动器芯片资料
TLE9104SHXUMA1是德国英飞凌公司（Infineon）推出的一款4通道电机驱动器芯片，主要用于汽车和工业应用中的小型电机驱动控制。该芯片具有高度集成、低功耗和高可靠性等优点，可为电机控制系统提供高效、精确和稳定的驱动控制。TLE9104SHXUMA1芯片内置了4个半桥驱动器，每个驱动器可以控制一个直流电机或步......
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日期：2023-04-17 阅读量：
FF450R12ME4双重背隙IGBT模块中文资料
FF450R12ME4是英飞凌（Infineon）公司推出的一款IGBT模块，它由两个450A/1200V IGBT芯片、一个自由轮二极管和一个NTC温度传感器组成，适用于高功率应用领域，如驱动大功率电机、逆变器等。该模块采用了第五代双重背隙IGBT技术，具有优异的导通和关断性能，可以实现高效的能量转换，同时还具有较低......
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日期：2023-04-17 阅读量：
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