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1SMB5935BT3G分立半导体产品单齐纳二极管-行业资讯

技术参数品牌:ON型号:1SMB5935BT3G封装:DO-214AASMB批号:2020+数量:23000类别:分立半导体产品 单齐纳二极管制造商:onsemiProduct Status:在售电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V容差:5%功率 - 最大值:3 W阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 20.6 V不同 If 时电压 - 正向...

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技术参数

品牌:ON
型号:1SMB5935BT3G
封装:DO-214AASMB
批号:2020+
数量:23000
类别:分立半导体产品 单齐纳二极管
制造商:onsemi
Product Status:在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V
容差:±5%
功率 - 最大值:3 W
阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 20.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 200 mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:DO-214AA,SMB

特征

  • 齐纳电压范围−3.3 V至200 V

  • 每个人体模型的ESD额定值为3级(>16 kV)

  • 平坦的操作表面,可实现精确放置

  • 用于顶部或底部电路板安装的封装设计

  • AEC−Q101合格且具备PPAP能力−SZ1SMB59xxT3G

  • 汽车和其他需要唯一的应用程序的SZ前缀现场和控制变更要求

  • 这些是无铅设备