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NTPF110N65S3HF安森美功率MOSFET晶体管资料
NTPF110N65S3HF是ON半导体生产的一款功率MOSFET晶体管。该MOSFET属于SuperFET3系列，专为需要低导通电阻、快速开关速度和高雪崩能量的高效电源管理应用而设计。NTPF110N65S3HF MOSFET具有最大漏极-源极电压为650伏特和最大连续漏极电流为110安培的特性。这使其适用于高频率电......
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日期：2023-04-17 阅读量：
MC34064P-5G低功耗电压监视器中文资料
MC34064P-5G是一种低功耗电压监视器，可用于监测电源电压，并在电压低于或高于设定值时提供重置信号。以下是关于MC34064P-5G的详细描述、规格参数和应用。描述MC34064P-5G是一种电源电压监视器，采用晶体管技术封装，可工作于广泛的电压范围和温度范围内。该器件可以监测直流电源电压，并在电压低于或高于设定......
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日期：2023-04-17 阅读量：
MJD44H11T4G安森美PNP型功率晶体管中文资料
MJD44H11T4G是一种PNP型功率晶体管，适用于开关和线性放大电路。以下是关于MJD44H11T4G的详细描述、规格参数和应用。描述MJD44H11T4G是一种中等功率的PNP型晶体管，采用表面贴装技术封装，适用于开关和线性放大电路。该器件具有高电流放大系数、低饱和电压和快速开关速度，且具有优异的耐压和耐电流能力......
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日期：2023-04-17 阅读量：
BZX84C4V7LT1G低电压Zener二极管中文资料
BZX84C4V7LT1G是一种低电压Zener二极管，可以用于稳压和限流电路中。以下是有关BZX84C4V7LT1G的详细描述、规格参数和应用。描述BZX84C4V7LT1G是一种小尺寸的低电压Zener二极管，采用玻璃封装，具有低电压崩溃特性，可以用于稳压和限流电路中。该器件具有极低的反向漏电流和快速响应时间，且体......
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日期：2023-04-17 阅读量：
NCP5901BMNTBG高效率线性稳压器中文资料
NCP5901BMNTBG是ON Semiconductor公司推出的一款高效率线性稳压器，以下是它的规格参数和特点：规格参数：输入电压范围：2.5V至5.5V输出电压范围：1.5V至3.3V输出电流：150mA工作温度范围：-40C至+125C特点：低压差高稳定性低噪音热关断保护短路保护小尺寸封装NCP5901BMN......
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日期：2023-04-14 阅读量：
NCP43080DMTTWG高性能降压型稳压器参数资料
NCP43080DMTTWG是ON Semiconductor公司生产的一款高性能降压型稳压器，以下是它的规格参数和特点：规格参数：输入电压范围：2.5V至28V输出电压范围：0.6V至0.9VIN输出电流：8A工作温度范围：-40C至+125C特点：高效率和高稳定性内置过压、欠压和过温保护低漏电流可调节输出电压NCP......
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日期：2023-04-14 阅读量：
SSRD8620CTT4RG双向场效应晶体管（FET）规格参数
SSRD8620CTT4RG是一款由Vishay Semiconductors生产的双向场效应晶体管（FET）产品代码。它是一款用于高速开关应用的功率FET，可用于直流至高频的应用。以下是SSRD8620CTT4RG的一些规格参数：工作电压：20伏最大漏极电流：3.6安培最大源极电流：2.2安培低漏电流：1微安（典型值......
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日期：2023-04-14 阅读量：
NC7SZ157P6X多路数据选择器/多路复用器资料
NC7SZ157P6X是一款由ON Semiconductor生产的四选一多路数据选择器/多路复用器，可用于数字电路中的信号选择和数据传输等应用。该器件采用SOT-23-6封装，具有紧凑的封装尺寸和低功耗特性，适用于空间受限和功耗敏感的应用场合。它的输入电压范围为-0.5V至5.5V，典型输入电流为1µA，典型延迟时间......
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日期：2023-04-14 阅读量：
NC7S02M5X高速双输入NOR门中文资料
NC7S02M5X是一款由ON Semiconductor生产的高速双输入NOR门，适用于数字电路中的各种逻辑功能实现，如信号选择、逻辑门电路等。该NOR门采用SOT-23-5表面贴装封装，具有紧凑的封装尺寸和快速响应时间，适用于空间受限的应用场合。它的最大功率耗散为230mW，输入电压范围为-0.5V至5.5V，典型......
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日期：2023-04-14 阅读量：
MMSZ5228B-7-F安森美电压稳压二极管中文资料
MMSZ5228B-7-F是一款由ON Semiconductor生产的5.1V电压稳压二极管，广泛应用于各种电路中，如稳压电源、电压限制器、保护电路等。该稳压二极管采用SOD-123表面贴装封装，具有紧凑的封装尺寸和快速响应时间，适用于空间受限的应用场合。它的最大功率耗散为500mW，最大正向电压为1.1V，最大反向......
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日期：2023-04-14 阅读量：
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