IPW65R080CFDA分立半导体产品 晶体管规格参数
技术参数品牌：INFINEON型号：IPW65R080CFDAFKSA1封装：原厂封装批次：21+数量：4680制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：Through Hole封装 / 箱体：TO-247-3通道数量：1 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：650 VId-连续漏极电流：43.3 ARds On-漏源导通电阻：72 mOh...
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPW65R080CFDAFKSA1 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 43.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 72 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 161 nC |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 391 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 21.1 mm |
| 长度： | 16.13 mm |
| 系列： | CoolMOS CFDA |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5.21 mm |
| 下降时间： | 6 ns |
| 上升时间： | 18 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 85 ns |
| 典型接通延迟时间： | 20 ns |
| 零件号别名： | IPW65R080CFDA SP000875806 IPW65R8CFDAXK |
| 单位重量： | 38 g |
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