IPB120P04P4-04英飞凌电源IC芯片中文资料
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：IPB120P04P4-04封装：GeSi=Trust批号：21+数量：9411制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：PG-TO-263-3通道数量：1 Channel晶体管极性：P-ChannelVds-漏源极击穿电压：40 VId-连续漏极电流：120 ARds On-漏源导通电阻：3.8...
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IPB120P04P4-04 |
| 封装： | GeSi=Trust |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 9411 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PG-TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 158 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 136 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 4.4 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 系列： | OptiMOS-P2 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 9.25 mm |
| 下降时间： | 52 ns |
| 上升时间： | 20 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 49 ns |
| 典型接通延迟时间： | 30 ns |
| 零件号别名： | IPB120P04P404ATMA1 SP000842270 IPB12P4P44XT IPB120P04P404ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
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