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IPB120P04P4-04英飞凌电源IC芯片中文资料

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPB120P04P4-04封装:GeSi=Trust批号:21+数量:9411制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PG-TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:120 ARds On-漏源导通电阻:3.8...

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技术参数

品牌:INFINEON/英飞凌
型号:IPB120P04P4-04
封装:GeSi=Trust
批号:21+
数量:9411
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PG-TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:120 A
Rds On-漏源导通电阻:3.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:158 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:136 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
高度:4.4 mm
长度:10 mm
系列:OptiMOS-P2
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:9.25 mm
下降时间:52 ns
上升时间:20 ns
典型关闭延迟时间:49 ns
典型接通延迟时间:30 ns
零件号别名:IPB120P04P404ATMA1 SP000842270 IPB12P4P44XT IPB120P04P404ATMA1
单位重量:4 g