FDC5614P分立半导体产品 晶体管规格参数
技术参数品牌：ONSEMI型号：FDC5614P封装：BULK批号：22+数量：9000类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商：onsemi系列：PowerTrench®FET 类型：P 通道漏源电压（Vdss）：60 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通...
技术参数
| 品牌： | ONSEMI |
| 型号： | FDC5614P |
| 封装： | BULK |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 9000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | onsemi |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 类型： | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 105 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 24 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 759 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值）： | 1.6W（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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