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STW11NK100Z分立半导体产品 晶体管中文参数

超级MESH™ 系列是通过ST的极限优化基于条带的PowerMESH™ 布局除了推动阻力显著降低,特别注意确保非常好的dv/dt能够满足最苛刻的应用。该系列补充了ST全系列高电压MOSFET,包括革命性的MD网格™ 产品。技术参数品牌:ST/意法型号:STW11NK100Z封装:22+批号:TO-247AC数量:3000类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商:STM...

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超级MESH™ 系列是通过ST的极限优化基于条带的PowerMESH™ 布局除了推动阻力显著降低,特别注意确保非常好的dv/dt能够满足最苛刻的应用。该系列补充了ST全系列高电压MOSFET,包括革命性的MD网格™ 产品。

技术参数

品牌:ST/意法
型号:STW11NK100Z
封装:22+
批号:TO-247AC
数量:3000
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:STMicroelectronics
系列:SuperMESH™
FET 类型:N 通道
漏源电压(Vdss):1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.38 欧姆 @ 4.15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):162 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):230W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3