技术参数
品牌: | CYPRESS |
型号: | CY14B116L-ZS25XI |
封装: | 21+ |
批次: | TSSOP-44 |
数量: | 8690 |
类别: | 集成电路(IC) 存储器 |
制造商: | Cypress Semiconductor Corp |
Product Status: | 在售 |
存储器类型: | 非易失 |
存储器格式: | NVSRAM |
存储容量: | 16Mb(2M x 8) |
存储器接口: | 并联 |
写周期时间 - 字,页: | 25ns |
访问时间: | 25 ns |
电压 - 供电: | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度: | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
Cypress CY14X116L/CY14X116N/CY14X116S是一款快速SRAM,在每个存储单元中具有非易失性元件。这个内存组织为2048K字节,每个字节8位或1024K每个16位的字或每个32位的512K个字。这个嵌入式非易失性元件包含QuantumTrap技术,生产世界上最可靠的非易失性记忆力SRAM可以读写无限个数次。驻留在非易失性中的非易失数据当数据被写入SRAM时,元件不改变。数据从SRAM传输到非易失性元件(STORE操作)在断电时自动发生。在…上通电,数据恢复到SRAM(RECALL操作)从非易失性存储器中。STORE和RECALL操作也可在软件控制下进行。