SZESD7551N2T5G贴片三极管ON(安森美)中文资料

ESD7551设计用于保护电压敏感元件需要ESD和瞬态电压的超低电容事件。出色的箝位能力，低电容，低泄漏，和快速响应时间，使这些部件成为ESD保护的理想选择董事会空间非常宝贵的设计。因为它很低电容，该部件非常适合用于高频设计例如USB 2.0高速和天线线路应用。
特征
•超低电容（最大0.35 pF）
•低箝位电压
•支座V电压：3.3 V
•低泄漏
•响应时间<1 ns
•低动态电阻<1W
•以下标准的保护：IEC 61000−4−2（4级）和ISO 10605
•汽车和其他需要唯一的应用程序的SZ前缀现场和控制变更要求；AEC−Q101合格且PPAP能力
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR且符合RoHS标准顺从的
典型应用
•射频信号ESD保护
•射频开关、PA和天线ESD保护
•近场通信

ESD7551设计用于保护电压敏感元件需要ESD和瞬态电压的超低电容事件。出色的箝位能力，低电容，低泄漏，和快速响应时间，使这些部件成为ESD保护的理想选择董事会空间非常宝贵的设计。因为它很低电容，该部件非常适合用于高频设计例如USB 2.0高速和天线线路应用。