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NTF2955T1G分立半导体产品 晶体管规格参数

技术参数品牌:ON型号:NTF2955T1G封装:SOT223批号:22+数量:50000制造商:onsemi产品种类:MOSFET安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:2.6 ARds On-漏源导通电阻:185 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V,...

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技术参数

品牌:ON
型号:NTF2955T1G
封装:SOT223
批号:22+
数量:50000
制造商:onsemi
产品种类:MOSFET
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:2.6 A
Rds On-漏源导通电阻:185 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:14.3 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:2.3 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:38 ns
正向跨导 - 最小值:1.77 S
高度:1.57 mm
长度:6.5 mm
上升时间:7.6 ns
系列:NTF2955
晶体管类型:MOSFET
典型关闭延迟时间:11 ns
典型接通延迟时间:3.5 mm
宽度:250 mg

特征

•低RDS设计(开启)

•在雪崩和换流模式下承受高能量

•AEC−Q101合格−NVF2955

•这些设备不含铅,符合RoHS标准

应用

•电源

•PWM电机控制

•转换器

•电源管理