尖货爆款
技术参数
| 品牌： | CYPRESS |
| 型号： | FM25CL64B-GTR |
| 封装： | SOP8 |
| 批号： | 两年内 |
| 数量： | 10000 |
| 类别： | 集成电路（IC） 存储器 |
| 制造商： | Cypress Semiconductor Corp |
| 系列： | F-RAM™ |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 存储器格式： | FRAM |
| 存储容量： | 64Kb（8K x 8） |
| 存储器接口： | SPI |
| 时钟频率： | 20 MHz |
| 电压 - 供电： | 2.7V ~ 3.65V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
FM25CL64B是一种64 Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，可以执行读取和写入类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留同时消除了复杂性、开销和系统级别串行闪存、EEPROM和其他引起的可靠性问题非易失性存储器。与串行闪存和EEPROM不同，FM25CL64B可执行以总线速度进行写入操作。没有发生写入延迟。数据在每个字节被已成功转移到设备。下一个公交周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外与其他产品相比，该产品具有显著的写持久性非易失性存储器。FM25CL64B能够支持1014个读/写周期，或写周期增加1亿倍而不是EEPROM。这些功能使FM25CL64B成为非易失性的理想选择需要频繁或快速写入的内存应用程序。示例包括数据收集，其中写入次数对于要求苛刻的工业控制而言，周期可能至关重要串行闪存或EEPROM的长写入时间会导致数据丢失。FM25CL64B为串行用户提供了巨大的好处EEPROM或闪存作为硬件插入式替换。这个FM25CL64B使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。设备在工业温度下保证规格范围-40C至+85C
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