IR3556MTRPBF电源管理（PMIC） 全半桥驱动器参数

技术参数

IR3556集成PowIRstage®包含共封装的同步降压栅极驱动器IC具有控制和同步MOSFET以及肖特基二极管，以进一步提高效率。这个封装针对PCB布局、热传递等进行了优化，驱动器/MOSFET控制时序和最小开关节点当遵循布局准则时发出铃声。配对的栅极驱动器和MOSFET的组合使切割所需的较低输出电压下的效率边缘CPU、GPU、ASIC和DDR存储器设计。IR3556 PowIRstage®内部MOSFET电流集成温度传感算法补偿实现卓越的电流感精度与基于同类最佳控制器的电感器DCR感应方法。其他功能包括初步过电压保护和标志，内部逐周期自保护过电流保护和标志、相位故障标志、过温保护以及标志和内部封装温度报告。高达1.0MHz的开关频率可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器的小型化，以及输入和输出电容器，同时保持行业领先效率当与IR的数字控制器相结合时，IR3556包含车身制动™ 通过PWM的功能能够减少输出电容器的三态。还支持同步二极管仿真模式通过内置ZCD_EN#启用过零检测IR3556中的电路，增加了系统轻负载效率IR3556经过优化，可在服务器应用程序。满足严格要求的能力服务器市场的要求也使得IR3556非常适合为GPU、ASIC、DDR供电存储器和其他高电流设计。