尖货爆款
技术参数
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型号： | SI1026X-T1-GE3 |
| 封装： | SOT-563 |
| 批号： | 2019+PB |
| 数量： | 6500 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SC-89-6 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 500 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.4 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 600 pC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 280 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.6 mm |
| 长度： | 1.66 mm |
| 系列： | SI1 |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 宽度： | 1.2 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 200 mS |
| 典型关闭延迟时间： | 20 ns |
| 典型接通延迟时间： | 15 ns |
| 零件号别名： | SI1026X-GE3 |
| 单位重量： | 32 mg |
特征
•无卤素，符合IEC 61249-2-21
释义
•低导通电阻：1.40
•低阈值：2 V（典型值）
•低输入电容：30 pF
•快速切换速度：15 ns（典型值）
•低输入和输出泄漏
•ESD保护：2000 V
•微型封装
•符合RoHS指令2002/95/EC
利益
•低偏移电压
•低压操作
•高速电路
•低错误电压
•小型板区域
应用
•驱动器：继电器、电磁阀、灯、锤子、显示器、，
存储器、晶体管等。
•电池操作系统
•固态继电器
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