BSZ100N03LSG汽车芯片中文资料参数

BSZ100N03LSG是一款N沟道MOSFET晶体管，由ROHM半导体公司生产。它采用了先进的MOSFET技术和封装，具有低导通电阻、高开关速度和优异的电气性能，可广泛应用于各种功率电子设备和系统中。
以下是BSZ100N03LSG的主要规格参数：

额定电压：30V
额定电流：100A
导通电阻：3.8mΩ（最大值）
封装：TO-263（D2PAK）封装
BSZ100N03LSG采用了ROHM半导体公司的U-MOSVIII-H MOSFET技术，使其具有更高的开关速度和更低的导通电阻。该器件适用于高性能的功率电子设备和系统，如直流电源、电机控制、电池管理、LED照明等领域。

需要注意的是，在使用BSZ100N03LSG时需要注意其最大额定电流和最大导通电阻等参数，以确保器件能够正常工作，并且不超过其最大功率和温度范围，从而保证设备的安全和稳定性。