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FDMS86300DC低导通电阻和快速开关芯片资料

FDMS86300DC是一款N-Channel PowerTrench® MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性。该器件采用先进的超材料工艺,适用于高效能力的应用。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度、良好的热稳定性和可靠性,以及采用无铅制造工艺,符合RoHS标准等。该MOSFET器件的导通电阻仅为1.6毫欧姆,且最大漏极电压可达30伏,适用于高压、高电流的应用场合,例如电源管理、电机驱动、L...

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FDMS86300DC是一款N-Channel PowerTrench® MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性。该器件采用先进的超材料工艺,适用于高效能力的应用。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度、良好的热稳定性和可靠性,以及采用无铅制造工艺,符合RoHS标准等。

该MOSFET器件的导通电阻仅为1.6毫欧姆,且最大漏极电压可达30伏,适用于高压、高电流的应用场合,例如电源管理、电机驱动、LED照明等。此外,FDMS86300DC还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定工作,可以满足工业和汽车电子等领域的要求。

作为一款先进的MOSFET器件,FDMS86300DC采用无铅制造工艺,符合RoHS标准,具有更好的环保性能。因此,该器件在众多应用中得到了广泛应用,成为现代电子工业的重要组成部分。

总之,FDMS86300DC作为一款高性能的N-Channel PowerTrench® MOSFET器件,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高压、高电流的应用场合。其具有良好的热稳定性和可靠性,并且采用无铅制造工艺,符合RoHS标准,具有更好的环保性能。