FCH190N65F高效能应用的MOSFET中文资料

FCH190N65F是一款N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。它是用于高效能应用的MOSFET，可用于高频逆变器、电源因数校正器、电动工具和LED照明等应用。

FCH190N65F具有低导通电阻和高开关速度。它的最大漏极电压为650V，最大漏电流为1.9mA，最大功率为450W，最大工作温度为175°C。

FCH190N65F采用了ST的先进技术和设备，确保了其高质量和可靠性。它具有优异的抗堆积能力和抗辐射能力，可以满足各种严苛的应用环境。

除此之外，FCH190N65F还具有较小的漏电流和静态功耗，可以显著减少系统能耗。它的引脚布局紧凑，易于布局和安装，可帮助设计人员简化系统设计和优化PCB空间利用率。

总之，FCH190N65F是一款高性能、高可靠性、低功耗的N沟道MOSFET，非常适合需要高效能和高可靠性的应用。