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FDMS86263P是一款N沟道MOSFET功率半导体器件，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机驱动等应用。该器件采用封装为Power33，工作温度范围为-55℃到150℃，符合RoHS标准，且易于焊接和后续处理。FDMS86263P的主要特点包括低导通电阻、低输入电容、高开关速度和低开关损耗等，可提供优异的性能和效率，适用于高性能应用场合。
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FDMS86263P是一款N沟道MOSFET功率半导体器件，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机驱动等应用。该器件采用封装为Power33，工作温度范围为-55℃到150℃，符合RoHS标准，且易于焊接和后续处理。FDMS86263P的主要特点包括低导通电阻、低输入电容、高开关速度和低开关损耗等，可提供优异的性能和效率，适用于高性能应用场合。