SUM110P08-11L-E3分立半导体产品-技术参数
技术参数品牌：VISHAY型号：SUM110P08-11L-E3封装：TO-263批号：22+数量：10000制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：TO-263-3通道数量：1 Channel晶体管极性：P-ChannelVds-漏源极击穿电压：80 VId-连续漏极电流：110 ARds On-漏源导通电阻：11.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压：10 VVgs th-栅源极阈值电压：1 VQg-栅极电荷：180 nC最小工作温度：- 55 C最大工作温度：+ 175 CPd-功率耗散：375 W配置：Single通道模式：Enhancement高度：4.83 mm长度：10.67 mm系列：SUM晶体管类型：1 P-Channel宽度：9.65 mm正向跨导 - 最小值：85 S下降时间：550 ns上升时间：330 ns典型关闭延迟时间：135 ns典型接通延迟时间：20 ns单位重量：2.200 g...
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SUM110P08-11L-E3 |
| 封装： | TO-263 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 80 V |
| Id-连续漏极电流： | 110 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 11.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 180 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 375 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 4.83 mm |
| 长度： | 10.67 mm |
| 系列： | SUM |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 9.65 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 85 S |
| 下降时间： | 550 ns |
| 上升时间： | 330 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 135 ns |
| 典型接通延迟时间： | 20 ns |
| 单位重量： | 2.200 g |
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