尖货爆款
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | HGTD1N120BNS9A |
| 封装： | SOT252 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | TO-252AA-3 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.5 V |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 5.3 A |
| Pd-功率耗散： | 60 W |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 系列： | HGTD1N120BNS |
| 集电极最大连续电流 Ic： | 5.3 A |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.6 mm |
| 宽度： | 6.1 mm |
| 集电极连续电流： | 5.3 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | +/- 250 nA |
| 单位重量： | 260.370 mg |
HGTD1N120BNS和HGTP1N120BN是非穿通（NPT）IGBT设计。它们是MOS门控高电平交换1GBT家族的新成员。IGBT结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有aMOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。IGBT是许多在中等频率下运行的高压开关应用的理想选择，其中低导通损耗是必不可少的，例如：交流和直流电机控制、螺线管、继电器和接触器的电源和驱动器。以前为发育型TA49316。
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