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C3M0032120K分立半导体产品晶体管-技术参数

技术参数品牌:WOLFSPEED型号:C3M0032120K封装:TO-247-4批号:19+数量:600制造商:Cree, Inc.产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1200 VId-连续漏极电流:63 ARds On-漏源导通电阻:43 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, 19 VVgs th-栅源极阈值电压:2.5 VQg-栅极电荷:118 nC最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:283 W通道模式:Enhancement配置:Single晶体管类型:1 N-Channel下降时间:9 ns上升时间:18 ns典型关闭延迟时间:9 ns典型接通延迟时间:25 ns...

C3M0032120K.png

技术参数

品牌:WOLFSPEED
型号:C3M0032120K
封装:TO-247-4
批号:19+
数量:600
制造商:Cree, Inc.
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-4
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:1200 V
Id-连续漏极电流:63 A
Rds On-漏源导通电阻:43 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Qg-栅极电荷:118 nC
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:283 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
晶体管类型:1 N-Channel
下降时间:9 ns
上升时间:18 ns
典型关闭延迟时间:9 ns
典型接通延迟时间:25 ns

特点:

•第三代SiC MOSFET技术

•具有独立驱动源引脚的优化封装

•漏极和源极之间的爬电距离为8mm

•高阻塞电压,低导通电阻

•低电容的高速开关

•具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管

•无卤素,符合RoHS标准

好处:

•减少开关损耗,最大限度地减少栅极振铃

•更高的系统效率

•降低冷却要求

•提高功率密度

•增加系统切换频率

应用程序:

•太阳能逆变器

•电动汽车电机驱动

•高压DC/DC转换器

•开关模式电源

•负载开关