技术参数
品牌: | NXP |
型号: | AFT05MS031NR1 |
封装: | NA |
批号: | 21+ |
数量: | 20000 |
制造商: | NXP |
产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
RoHS: | 是 |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | - 500 mV, 40 V |
增益: | 19 dB |
输出功率: | 33 W |
最小工作温度: | - 40 C |
最大工作温度: | + 150 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-270-2 |
配置: | Single |
工作频率: | 136 MHz to 520 MHz |
系列: | AFT05MS031N |
正向跨导 - 最小值: | 5.8 S |
湿度敏感性: | Yes |
Pd-功率耗散: | 294 W |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 6 V, 12 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.1 VDC |
单位重量: | 529.550 mg |
描述:专为移动双向无线电应用而设计,频率来自136至520兆赫。高增益、坚固性和宽带性能这些器件使它们成为大信号、共源放大器的理想选择在移动无线电设备中的应用。
特点:
- 工作频率为136至520 MHz
- 不匹配的输入和输出允许宽频率范围利用
- 集成ESD保护
- 集成稳定性增强
宽带-全功率跨频带:
- 136-174兆赫
- 380-450兆赫
- 450-520兆赫- 225°C功能塑料包装
- 卓越的热性能
- 高线性适用于:TETRA、SSB、LTE
- 成本效益高的模压塑料包装
- 在磁带和卷轴中。R1后缀=500个单位,24毫米磁带宽度,13英寸卷轴。
典型应用:
- 输出级甚高频波段移动无线电
- 输出级UHF波段移动无线电