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AFT05MS031NR1射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管-型号参数

技术参数品牌:NXP型号:AFT05MS031NR1封装:NA批号:21+数量:20000制造商:NXP产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管RoHS:是晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 40 V增益:19 dB输出功率:33 W最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-270-2配置:Single工作频率:136 MHz to 520 MHz系列:AFT05MS031N正向跨导 - 最小值:5.8 S湿度敏感性:YesPd-功率耗散:294 WVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 12 VVgs th-栅源极阈值电压:2.1 VDC单位重量:529.550 mg...

AFT05MS031NR1.png

技术参数

品牌:NXP
型号:AFT05MS031NR1
封装:NA
批号:21+
数量:20000
制造商:NXP
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 40 V
增益:19 dB
输出功率:33 W
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-270-2
配置:Single
工作频率:136 MHz to 520 MHz
系列:AFT05MS031N
正向跨导 - 最小值:5.8 S
湿度敏感性:Yes
Pd-功率耗散:294 W
Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 VDC
单位重量:529.550 mg

描述:专为移动双向无线电应用而设计,频率来自136至520兆赫。高增益、坚固性和宽带性能这些器件使它们成为大信号、共源放大器的理想选择在移动无线电设备中的应用。

特点:

  • 工作频率为136至520 MHz
  • 不匹配的输入和输出允许宽频率范围利用
  • 集成ESD保护
  • 集成稳定性增强
  • 宽带-全功率跨频带:

    - 136-174兆赫

    - 380-450兆赫
    - 450-520兆赫

  • 225°C功能塑料包装
  • 卓越的热性能
  • 高线性适用于:TETRA、SSB、LTE
  • 成本效益高的模压塑料包装
  • 在磁带和卷轴中。R1后缀=500个单位,24毫米磁带宽度,13英寸卷轴。

典型应用:

  • 输出级甚高频波段移动无线电
  • 输出级UHF波段移动无线电