尖货爆款
技术参数
| 品牌： | ON 安森美 |
| 型号： | FDH50N50-F133 |
| 封装： | TO247 |
| 批号： | 20+ |
| 数量： | 5400 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 500 V |
| Id-连续漏极电流： | 48 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 89 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 5 V |
| Qg-栅极电荷： | 105 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 625 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 20.82 mm |
| 长度： | 15.87 mm |
| 系列： | FDH50N50 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.82 mm |
| 下降时间： | 230 ns |
| 上升时间： | 360 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 225 ns |
| 典型接通延迟时间： | 105 ns |
| 零件号别名： | FDH50N50_F133 |
| 单位重量： | 6.390 g |
描述：
UniFET MOSFET是ON半导体的高压MOSFET基于平面条纹和DMOS技术的家族。这种MOSFET专门设计用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。这器件系列适用于开关电源转换器应用诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）TV电源、ATX和电子灯镇流器。
特点：
•在VGS=10 V、ID=24 A时，RDS（开）=89 m（典型值）
•低栅极电荷（典型105 nC）
•低Crss（45 pF型）
•100%雪崩测试
•改进了dv/dt功能
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
应用程序：
•照明
•不间断电源
•交流-直流电源
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