技术参数
品牌: | ON安森美 |
型号: | ESD8006MUTAG |
封装: | UDFN-8 |
批号: | 22+ |
数量: | 15000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | ESD 抑制器/TVS 二极管 |
RoHS: | 是 |
极性: | Unidirectional |
工作电压: | 3.3 V |
通道数量: | 6 Channel |
端接类型: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | UDFN-8 |
击穿电压: | 5.5 V |
钳位电压: | 8.4 V |
Vesd - 静电放电电压触点: | 15 kV |
Vesd - 静电放电电压气隙: | 15 kV |
Cd - 二极管电容 : | 0.32 pF |
Ipp - 峰值脉冲电流: | 16 A |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
系列: | ESD8006 |
单位重量: | 14.800 mg |
ESD8006专为保护USB 3.0和来自ESD的Thunderbolt接口。超低电容和低ESD箝位电压使该器件成为保护电压敏感的高速数据线。流经样式封装允许简单的PCB布局和匹配的迹线长度在高速之间保持一致阻抗所必需的差动线路。
特点:
•低电容(最大0.25 pF,输入/输出至GND)
•以下IEC标准的保护:IEC 61000−4−2(4级)
•低ESD箝位电压
•汽车和其他需要唯一的应用程序的SZ前缀现场和控制变更要求;AEC−Q101合格且PPAP能力
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR且符合RoHS顺从的
典型应用:
•USB 3.0/3.1
•霹雳
•显示端口