尖货爆款
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | FQB6N80TM |
| 封装： | TO-263-3 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 88000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 800 V |
| Id-连续漏极电流： | 5.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.95 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3.13 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 4.83 mm |
| 长度： | 10.67 mm |
| 系列： | FQB6N80 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 类型： | MOSFET |
| 宽度： | 9.65 mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 正向跨导 - 最小值： | 5.9 S |
| 下降时间： | 45 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 70 ns |
| 工厂包装数量： | 800 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 65 ns |
| 典型接通延迟时间： | 30 ns |
| 零件号别名： | FQB6N80TM_NL |
| 单位重量： | 1.312 g |
描述：
这种N沟道增强型功率MOSFET是使用Fairchild半导体公司的专有平面成熟度和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术经过特别定制，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
海量现货 种类齐全
快速报价 闪电出库
原厂渠道 原装正品
优势价格 节省成本
专属客服 FAE支持
