技术参数:
类别 | 集成电路(IC) |
制造商 | Renesas Electronics America Inc |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) |
产品状态 | 在售 |
DigiKey 可编程 | 未验证 |
存储器类型 | 易失 |
存储器格式 | SRAM |
技术 | SRAM - 双端口,同步 |
存储容量 | 9Mb |
存储器组织 | 256K x 36 |
存储器接口 | 并联 |
时钟频率 | 133 MHz |
写周期时间 - 字,页 | - |
访问时间 | 4.2 ns |
电压 - 供电 | 2.4V ~ 2.6V |
说明:IDT70T3519/99/89是一个高速256/128/64K x 36位同步双端口RAM。内存阵列使用双端口以允许从两个端口同时访问任何地址。控制、数据和地址输入上的寄存器提供最小的设置和保持时间。这种方法提供的定时纬度允许系统设计成具有非常短的循环时间。通过输入数据寄存器IDT70T3519/99/89已针对突发中具有单向或双向数据流的应用程序进行了优化。自动断电功能,由CE0和CE1控制,允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功率模式。70T3519/99/89可以支持3.3V的工作电压或一个或两个端口上的2.5V,可由OPT引脚控制。权力器件核心(VDD)的电源电压为2.5V。