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70T3519S133BCI8存储集成电路-型号参数

类别:集成电路(IC)制造商:Renesas Electronics America Inc系列:-包装:卷带(TR)产品状态:在售DigiKey 可编程:未验证存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 双端口,同步存储容量:9Mb存储器组织:256K x 36存储器接口:并联时钟频率:133 MHz写周期时间 - 字,页:-访问时间:4.2 ns电压 - 供电:2.4V ~ 2.6V...

    70T3519S133BCI8.png

技术参数:

类别集成电路(IC)
制造商Renesas Electronics America Inc
系列-
包装卷带(TR)
产品状态在售
DigiKey 可编程未验证
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM - 双端口,同步
存储容量9Mb
存储器组织256K x 36
存储器接口并联
时钟频率133 MHz
写周期时间 - 字,页-
访问时间4.2 ns
电压 - 供电2.4V ~ 2.6V

说明:IDT70T3519/99/89是一个高速256/128/64K x 36位同步双端口RAM。内存阵列使用双端口以允许从两个端口同时访问任何地址。控制、数据和地址输入上的寄存器提供最小的设置和保持时间。这种方法提供的定时纬度允许系统设计成具有非常短的循环时间。通过输入数据寄存器IDT70T3519/99/89已针对突发中具有单向或双向数据流的应用程序进行了优化。自动断电功能,由CE0和CE1控制,允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功率模式。70T3519/99/89可以支持3.3V的工作电压或一个或两个端口上的2.5V,可由OPT引脚控制。权力器件核心(VDD)的电源电压为2.5V。