LM5109BSDX/NOPB高压栅极驱动器-型号参数

作者：小编

时间：2023-07-27 11:14:09

技术参数品牌：TI/德州仪器型号：LM5109BSDX/NOPB封装：WSON-8批号：23+数量：56800制造商：Texas Instruments产品种类：门驱动器RoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：LLP-8激励器数量：2 Driver输出端数量：2 Output输出电流：1 A上升时间：15 ns下降时间：15 ns电源电压-最小：8 V电源电压-最大：14 V传播延迟—最大值：32 ns工作电源电流：1.8 mA最小工作温度：- 40 C最大工作温度：+ 125 C系列：LM5109B特点：Independent高度：0.8 mm长度：4 mm工作温度范围：- 40 C to + 125 C宽度：4 mm逻辑类型：TTL最大关闭延迟时间：2 ns最大开启延迟时间：2 ns工作电源电压：7.5 V to 14 V单位重量：49.400 mg...

技术参数

品牌：	TI/德州仪器
型号：	LM5109BSDX/NOPB
封装：	WSON-8
批号：	23+
数量：	56800
制造商：	Texas Instruments
产品种类：	门驱动器
RoHS：	是
安装风格：	SMD/SMT
封装 / 箱体：	LLP-8
激励器数量：	2 Driver
输出端数量：	2 Output
输出电流：	1 A
上升时间：	15 ns
下降时间：	15 ns
电源电压-最小：	8 V
电源电压-最大：	14 V
传播延迟—最大值：	32 ns
工作电源电流：	1.8 mA
最小工作温度：	- 40 C
最大工作温度：	+ 125 C
系列：	LM5109B
特点：	Independent
高度：	0.8 mm
长度：	4 mm
工作温度范围：	- 40 C to + 125 C
宽度：	4 mm
逻辑类型：	TTL
最大关闭延迟时间：	2 ns
最大开启延迟时间：	2 ns
工作电源电压：	7.5 V to 14 V
单位重量：	49.400 mg

该LM5109B器件是一种具有成本效益的，高压栅极驱动器，旨在推动双方的高端和低端N沟道MOSFET的同步降压或半桥配置。浮动高边驱动器能够在高达90V的rai电压下工作。输出独立控制具有成本效益的TTL和CMOS兼容的输入闻值。强大的电平移位技术可高速工作，同时功耗低，并提供从控制输入逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该器件可在8引脚SOIC和热增强8引脚WSON封装。