MC33GD3100EKR2单沟道栅极驱动器-型号参数
技术参数品牌:NXP型号:MC33GD3100EKR2批号:2Y数量:4000制造商:NXP产品种类:门驱动器安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-32激励器数量:1 Driver输出电流:10 A电源电压-最大:5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C系列:MC33GD3100资格:AEC-Q100MC33GD3100是一款用于IGBT和SiC功率器件的先进单沟道...
技术参数
品牌: | NXP |
型号: | MC33GD3100EKR2 |
批号: | 2Y |
数量: | 4000 |
制造商: | NXP |
产品种类: | 门驱动器 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOIC-32 |
激励器数量: | 1 Driver |
输出电流: | 10 A |
电源电压-最大: | 5 V |
最小工作温度: | - 40 C |
最大工作温度: | + 150 C |
系列: | MC33GD3100 |
资格: | AEC-Q100 |
- MC33GD3100是一款用于IGBT和SiC功率器件的先进单沟道栅极驱动器。集成的Galvanic隔离和低导通电阻驱动晶体管提供高充电和放电电流、低动态饱和电压以及轨对轨栅极电压控制。电流和温度感应可最大限度地减少故障期间IGBT的应力。准确和可配置的欠压锁定(UVLO)提供保护,同时确保足够的栅极驱动电压净空。MC33GD3100可自主管理严重故障,并通过INTB引脚和SPI接口报告故障和状态。它能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。高可靠性系统(ASIL C/D)的设计包括自检、控制和保护功能。它符合汽车应用的严格要求,完全符合AEC-Q100 1级资质。