LM4132EMF-1.8/NOPB电源管理（PMIC）电压基准-型号参数

品牌：	TI
型号：	LM4132EMF-1.8/NOPB
封装：	n/a
批号：	21+
数量：	8000
制造商：	Texas Instruments
产品种类：	参考电压
RoHS：	是
安装风格：	SMD/SMT
封装 / 箱体：	SOT-23-5
参考类型：	Series Precision References
输出电压：	1.8 V
初始准确度：	0.5 %
温度系数：	30 PPM / C
串联VREF—输入电压—最大值：	6 V
分流电流—最大值：	20 mA
最小工作温度：	- 40 C
最大工作温度：	+ 125 C
系列：	LM4132
准确性：	25 PPM/mA
高度：	1.02 mm
长度：	2.92 mm
工作温度范围：	- 40 C to + 125 C
宽度：	1.6 mm
拓扑结构：	Series References
负载调节：	25 PPM/mA
工作电源电流：	60 uA
单位重量：	8 mg

LM4132系列精密电压基准的性能与最佳激光修整双极基准相当，但采用了成本效益高的CMOS技术。这一突破的关键是在CMOS带隙结构上使用EEPROM寄存器来校正曲率、温度系数（tempco）和精度，从而允许封装级编程来克服组装偏移。在将模具组装到塑料封装中的过程中，电压精度和温度的变化限制了用激光技术修整的参考的精度。与其他LDO参考不同，LM4132可以提供高达20毫安的电流，并且不需要输出电容器或缓冲放大器。这些优点以及SOT-23封装对于空间关键型应用非常重要。串联参考比并联参考提供更低的功耗，因为它们不必在空载条件下空转最大可能的负载电流。这一优势、低静态电流（60µA）和低跌落电压（400 mV）使LM4132成为电池供电解决方案的理想选择。LM4132有五个级别（A、B、C、D和E）可供选择，以获得更大的灵活性。最佳等级设备（A）的初始精度为0.05%，指定温度系数为10 ppm/°C或更低，而最低等级设备（E）的初始精确度为0.5%，温度系数为30 ppm/°C。