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IS61WV20488BLL-10MLI存储器集成电路(IC)-型号参数

技术参数品牌:ISSI型号:IS61WV20488BLL-10MLI封装:BGA48批号:21+数量:5100对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)类别:有源产品族:集成电路(IC)系列:存储器存储器类型:易失存储器格式:SRAM存储容量:16Mb(2M x 8)存储器接口:并联写周期时间 - 字,页:10ns访问时间:10ns电压 - 供电:2.4V ~ 3.6V工作温度:-40C ~ 85C(TA)安装类型:表面贴装型封装/外壳:48-TFBGA...

IS61WV20488BLL-10MLI.png

技术参数

品牌:ISSI
型号:IS61WV20488BLL-10MLI
封装:BGA48
批号:21+
数量:5100
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)
类别:有源
产品族:集成电路(IC)
系列:存储器
存储器类型:易失
存储器格式:SRAM
存储容量:16Mb(2M x 8)
存储器接口:并联
写周期时间 - 字,页:10ns
访问时间:10ns
电压 - 供电:2.4V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:48-TFBGA
ISSI IS61WV20488LL/BLL和IS64WV20488 LLL是非常高速、低功耗、2M字乘8位CMOS静态RAM。IS61WV20488LL/BLL和IS64WV20488 LLL采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,产生了更高性能和低功耗的器件。当CE为HIGH(取消选择)时,设备采用待机模式,在待机模式下,可以通过CMOS输入电平降低功耗。IS61WV20488LL/BLL和IS64WV20488 LLL通过单一电源运行,所有输入都兼容TTL。IS61WV20488LL/BLL和IS64WV20408LLL有48球迷你BGA和44针TSOP(II型)封装。