尖货爆款
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | FDN340P |
| 封装： | SOT23-3L |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 30320 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SSOT-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 60 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 8 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 500 mW (1/2 W) |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.12 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | FDN340P |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.4 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 9 S |
| 下降时间： | 9 ns |
| 上升时间： | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 27 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10 ns |
| 零件号别名： | FDN340P_NL |
| 单位重量： | 30 mg |
该P沟道逻辑电平MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench工艺生产，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，从而获得优异的开关性能。这些设备非常适合便携式电子应用：负载切换和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
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